IMEC使用高質基底的大面積(70cm2)外延式太陽能電池已獲得16.3%的轉換效率。此前，低質基底大面積電池曾獲得14.7%的轉換效率。IMEC已成功地在高質高摻雜度的基底和低成本的高級冶金級多晶硅基底上，獲得了厚度僅為20 微米的高質量外延式硅堆。

"在高質基底上所獲得的16.3%的效率和低成本基底的14.7%的效率均表明工業級的效率是可以通過現有技術來實現的。"IMEC太陽能項目總監Jef Poortmans表示，"通過使用銅基接觸方案，我們可以進一步提高轉換效率，使低成本晶片上生長外延式薄膜硅太陽能電池成為一項值得關注的工業技術。"

P+型背表面電場(BSF)、p型基底和n型前端發射極由化學氣相沉積形成。電池的捕光方式是在外延/基底部位，將前表面等離子結構與內部多孔硅布拉格反射鏡相結合，已達到捕光的目的。太陽能電池在該高質基底上使用了銅基接觸方案。

低質基底太陽能電池的金屬化工藝使用了絲網印刷技術，該步驟是形成擴散型前表電場及鍍氮化硅減反射膜之后的最后一步制造工藝。這一外延生長式晶片的等效基底可完全用在標準的工業化太陽能電池制作工藝中。